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PHOTOLUMINESCENCE FROM MBE SI GROWN AT LOW-TEMPERATURES - DONOR BOUND EXCITONS AND DECORATED DISLOCATIONS
被引：27
作者：
HIGGS, V
LIGHTOWLERS, EC
DAVIES, G
SCHAFFLER, F
KASPER, E
机构：
关键词：
D O I：
10.1088/0268-1242/4/7/019
中图分类号：
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ;
0809 ;
摘要：
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页码：593 / 598
页数：6
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