INDUCED ANISOTROPY OF SILICON-DOPED YIG

被引:25
作者
HUNT, RP
机构
关键词
D O I
10.1063/1.1708456
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
引用
收藏
页码:1330 / &
相关论文
共 5 条