RADIATION EFFECTS ON MOS DEVICES - DOSIMETRY, ANNEALING, IRRADIATION SEQUENCE, AND SOURCES

被引：9

作者：

STASSINOPOULOS, EG

BRUCKER, GJ

VANGUNTEN, O

KNUDSON, AR

JORDAN, TM

机构：

[1] RCA CORP LABS,DAVID SARNOFF RES CTR,PRINCETON,NJ 08540

[2] USN,RES LAB,WASHINGTON,DC 20375

[3] NATL SECUR AGCY,FT MEADE,MD

[4] EXPTL & MATH PHYS CONSULTANTS,SIMI VALLEY,CA

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/TNS.1983.4332665

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1880 / 1884

页数：5