MOBILITY DEGRADATION DUE TO THE GATE FIELD IN THE INVERSION LAYER OF MOSFETS

被引：29

作者：

FU, KY

机构：

来源：

ELECTRON DEVICE LETTERS | 1982年 / 3卷 / 10期

关键词：

D O I：

10.1109/EDL.1982.25573

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页码：292 / 293

页数：2

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共 4 条

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