BURIED HETEROSTRUCTURE GAINASP-INP LASERS FABRICATED USING THERMALLY TRANSPORTED INP

被引：3

作者：

LIAU, ZL ^{[1
]}

WALPOLE, JN ^{[1
]}

机构：

[1] MIT,LINCOLN LAB,LEXINGTON,MA 02173

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1982年 / 29卷 / 10期

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1982.20959

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：1675 / 1675

页数：1

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共 2 条

[1] A NOVEL TECHNIQUE FOR GALNASP/INP BURIED HETEROSTRUCTURE LASER FABRICATION [J].

LIAU, ZL ;

WALPOLE, JN .

APPLIED PHYSICS LETTERS, 1982, 40 (07) :568-570

[2]

LIAU ZL, 1982, TOPICAL M INTEGRATED