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CHARACTERISTICS OF SCHOTTKY DIODES ON ALXIN1-XAS GROWN BY MOCVD
被引：19
作者：
HODSON, PD
WALLIS, RH
DAVIES, JI
RIFFAT, JR
MARSHALL, AC
机构：
关键词：
D O I：
10.1088/0268-1242/3/11/011
中图分类号：
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ;
0809 ;
摘要：
引用
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页码：1136 / 1138
页数：3
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