LOW-PRESSURE CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION OF POLYCRYSTALLINE SILICON AND SILICON DIOXIDE BY RAPID THERMAL-PROCESSING

被引：3

作者：

OZTURK, MC

WORTMAN, JJ

ZHONG, YL

REN, XW

MILLER, RM

JOHNSON, FS

GRIDER, DT

ABERCROMBIE, DA

机构：

来源：

RAPID THERMAL ANNEALING / CHEMICAL VAPOR DEPOSITION AND INTEGRATED PROCESSING | 1989年 / 146卷

关键词：

D O I：

10.1557/PROC-146-109

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

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