CRYOGENICALLY COOLED GAAS FET AMPLIFIER WITH A NOISE TEMPERATURE UNDER 70K AT 5.0 GHZ

被引：1

作者：

PIERRO, J ^{[1
]}

机构：

[1] AIL,MELVILLE,NY 11746

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/TMTT.1976.1129009

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页数：4