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CHARGE BUILDUP AND INTRINSIC BISTABILITY IN AN ASYMMETRIC RESONANT-TUNNELING STRUCTURE
被引：59
作者：
LEADBEATER, ML
ALVES, ES
EAVES, L
HENINI, M
HUGHES, OH
SHEARD, FW
TOOMBS, GA
机构：
关键词：
D O I：
10.1088/0268-1242/3/10/018
中图分类号：
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ;
0809 ;
摘要：
引用
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页码：1060 / 1062
页数：3
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