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STUDY OF FORWARD IV PLOT FOR SCHOTTKY DIODES WITH HIGH SERIES RESISTANCE
被引:172
作者
:
SATO, K
论文数:
0
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0
h-index:
0
SATO, K
YASUMURA, Y
论文数:
0
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0
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0
YASUMURA, Y
机构
:
来源
:
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
|
1985年
/ 58卷
/ 09期
关键词
:
D O I
:
10.1063/1.335750
中图分类号
:
O59 [应用物理学];
学科分类号
:
摘要
:
引用
收藏
页码:3655 / 3657
页数:3
相关论文
共 3 条
[1]
MODIFIED FORWARD IV PLOT FOR SCHOTTKY DIODES WITH HIGH SERIES RESISTANCE
[J].
NORDE, H
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
Institute of Technology, University of Uppsala, Uppsala
NORDE, H
.
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1979,
50
(07)
:5052
-5053
[2]
SZE SM, 1969, PHYSICS SEMICONDUCTO, P380
[3]
P-N JUNCTION-SCHOTTKY BARRIER HYBRID DIODE
[J].
ZETTLER, RA
论文数:
0
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0
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0
机构:
HP Associates, Palo Alto
ZETTLER, RA
;
COWLEY, AM
论文数:
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0
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0
机构:
HP Associates, Palo Alto
COWLEY, AM
.
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES,
1969,
ED16
(01)
:58
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[1]
MODIFIED FORWARD IV PLOT FOR SCHOTTKY DIODES WITH HIGH SERIES RESISTANCE
[J].
NORDE, H
论文数:
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引用数:
0
h-index:
0
机构:
Institute of Technology, University of Uppsala, Uppsala
NORDE, H
.
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1979,
50
(07)
:5052
-5053
[2]
SZE SM, 1969, PHYSICS SEMICONDUCTO, P380
[3]
P-N JUNCTION-SCHOTTKY BARRIER HYBRID DIODE
[J].
ZETTLER, RA
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
HP Associates, Palo Alto
ZETTLER, RA
;
COWLEY, AM
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
HP Associates, Palo Alto
COWLEY, AM
.
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES,
1969,
ED16
(01)
:58
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