ANALYSIS OF RADIATIVE AND NONRADIATIVE RECOMBINATION LAW IN LIGHTLY DOPED INGAASP LASERS

被引：30

作者：

THOMPSON, GHB

机构：

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1983年 / 19卷 / 05期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19830108

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页码：154 / 155

页数：2

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共 1 条

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ELECTRONICS LETTERS, 1982, 18 (25-2) :1108-1110