THE FABRICATION AND ASSESSMENT OF HIGH-SPEED MOCVD GAALAS PIN DETECTORS

被引：3

作者：

ESDALE, DJ

WIGHT, DR

BALL, G

OLIVER, P

机构：

来源：

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH | 1984年 / 68卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1016/0022-0248(84)90450-0

中图分类号：

O7 [晶体学];

学科分类号：

0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;

摘要：

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页码：461 / 465

页数：5

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YARIV, A .

APPLIED PHYSICS LETTERS, 1983, 43 (03) :261-262

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LAU, KY ;

BARCHAIM, N ;

URY, I ;

HARDER, C ;

YARIV, A .

APPLIED PHYSICS LETTERS, 1983, 43 (01) :1-3

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WANG, SY ;

BLOOM, DM .

ELECTRONICS LETTERS, 1983, 19 (14) :554-555

[4] 20-GHZ BANDWIDTH GAAS PHOTO-DIODE [J].

WANG, SY ;

BLOOM, DM ;

COLLINS, DM .

APPLIED PHYSICS LETTERS, 1983, 42 (02) :190-192