A NOVEL TECHNIQUE TO FABRICATE GALNASP/INP BURIED HETEROSTRUCTURE LASER-DIODES

被引：2

作者：

IMANAKA, K

HORIKAWA, H

KAWAI, Y

SAKUTA, M

机构：

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1984年 / 44卷 / 10期

关键词：

D O I：

10.1063/1.94617

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：975 / 977

页数：3

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共 3 条

[1] A NOVEL TECHNIQUE FOR GALNASP/INP BURIED HETEROSTRUCTURE LASER FABRICATION [J].

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