2-DIMENSIONAL-ELECTRON GAS IN UNDOPED AND SELECTIVELY-DOPED GAINP/GAAS HETEROSTRUCTURES GROWN BY CHLORIDE-VAPOR-PHASE EPITAXY

被引：5

作者：

KITAHARA, K

HOSHINO, M

KODAMA, K

OZEKI, M

机构：

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS | 1987年 / 26卷 / 07期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.26.L1119

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：L1119 / L1121

页数：3