THERMAL LIMITATIONS IN PBSNTE DETECTORS

被引：22

作者：

DEVAUX, LH

KIMURA, H

SHEETS, MJ

RENDA, FJ

BALON, JR

CHIA, PS

LOCKWOOD, AH

机构：

[1] HUGHES RES LABS,MALIBU,CA 90265

[2] SANTA BARBARA RES CTR,GOLETA,CA

来源：

INFRARED PHYSICS | 1975年 / 15卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1016/0020-0891(75)90044-5

中图分类号：

O43 [光学];

学科分类号：

070207 ; 0803 ;

摘要：

引用

页码：271 / 277

页数：7

共 12 条

[1]

BLAKEMORE JS, 1962, SEMICONDUCTOR STAT, P96

[2]

CHIA PS, 1975, MAR IRIS DET SPEC GR

[3]

DEVAUX LH, 1973, DAAK0272C0348 CONTR

[4]

JOHNSON MR, 1974, DAAK02720330 CONTR

[5]

JOHNSON RE, 1973, DAAK0272C0389 CONTR

[6]

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[7]

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[10] CARRIER GENERATION AND RECOMBINATION IN P-N JUNCTIONS AND P-N JUNCTION CHARACTERISTICS [J].

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NOYCE, RN ;

SHOCKLEY, W .

PROCEEDINGS OF THE INSTITUTE OF RADIO ENGINEERS, 1957, 45 (09) :1228-1243

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