AN ANALYSIS OF INTERCONNECT LINE CAPACITANCE AND COUPLING FOR VLSI CIRCUITS

被引：18

作者：

LEWIS, ET

机构：

[1] Raytheon Co, Microelectronics Cent,, Bedford, MA, USA, Raytheon Co, Microelectronics Cent, Bedford, MA, USA

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(84)90022-4

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页数：9