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THE THERMOPOWER OF SI INVERSION-LAYERS
被引:20
作者
:
GALLAGHER, BL
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0
机构:
Cavendish Lab, Cambridge, Engl, Cavendish Lab, Cambridge, Engl
GALLAGHER, BL
GIBBINGS, CJ
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Cavendish Lab, Cambridge, Engl, Cavendish Lab, Cambridge, Engl
GIBBINGS, CJ
PEPPER, M
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机构:
Cavendish Lab, Cambridge, Engl, Cavendish Lab, Cambridge, Engl
PEPPER, M
CANTRELL, DG
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机构:
Cavendish Lab, Cambridge, Engl, Cavendish Lab, Cambridge, Engl
CANTRELL, DG
机构
:
[1]
Cavendish Lab, Cambridge, Engl, Cavendish Lab, Cambridge, Engl
来源
:
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
|
1987年
/ 2卷
/ 07期
关键词
:
D O I
:
10.1088/0268-1242/2/7/011
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
14
引用
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页码:456 / 459
页数:4
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