FULLY SELF-ALIGNED AMORPHOUS-SILICON MOS-TRANSISTORS

被引：2

作者：

OKADA, H

UCHIDA, Y

ZHANG, H

SUGIURA, O

MATSUMURA, M

机构：

[1] Tokyo Inst of Technology, Tokyo, Jpn, Tokyo Inst of Technology, Tokyo, Jpn

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS | 1986年 / 25卷 / 09期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.25.L755

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

SEMICONDUCTOR DEVICES, MOSFET

引用

页码：L755 / L757

页数：3