SINGLE EVENT UPSET MEASUREMENTS OF GAAS E-JFET RAMS

被引：14

作者：

SHAPIRO, P ^{[1
]}

CAMPBELL, AB ^{[1
]}

RITTER, JC ^{[1
]}

ZULEEG, R ^{[1
]}

NOTTHOFF, JK ^{[1
]}

机构：

[1] MCDONNELL DOUGLAS ASTRONAUT CO,MICROELECTR CTR,HUNTINGTON BEACH,CA 92647

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE | 1983年 / 30卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1109/TNS.1983.4333181

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：4610 / 4612

页数：3

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