LOW-NOISE MESFETS FOR ION-IMPLANTED GAAS MMICS

被引：1

作者：

GUPTA, AK

SIU, DP

IP, KT

PETERSEN, WC

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1983.21460

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1850 / 1854

页数：5

共 7 条

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