A GAAS 1K STATIC RAM USING TUNGSTEN SILICIDE GATE SELF-ALIGNED TECHNOLOGY

被引：19

作者：

YOKOYAMA, N

OHNISHI, T

ONODERA, H

SHINOKI, T

SHIBATOMI, A

ISHIKAWA, H

机构：

[1] FUJITSU LABS LTD,SEMICOND DEVICES LAB,ATSUGI 23401,JAPAN

[2] FUJITSU LABS LTD,DIV SEMICOND,COMPOUND SEMICOND DEVICES LAB,ATSUGI 23401,JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/JSSC.1983.1051987

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页数：5