CHARACTERIZATION OF ION-IMPLANTED GAAS USING CATHODOLUMINESCENCE

被引：6

作者：

CONE, ML ^{[1
]}

HENGEHOLD, RL ^{[1
]}

机构：

[1] USAF,INST TECHNOL,WRIGHT PATTERSON AFB,OH 45433

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.331910

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：6346 / 6351

页数：6

共 18 条

[1]

BERGER MJ, 1963, METHODS COMPUTATIONA, P135

[2]

Bethe H, 1930, ANN PHYS-BERLIN, V5, P325

[3]

BOLGER DE, 1967, 1966 P INT S GAAS RE, P16

[4]

CONE ML, 1980, THESIS AIR FORCE I T

[5]

GERGELY G, 1960, ACTA PHYS HUNG, V12, P221

GIBBONS, JF .

PROCEEDINGS OF THE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS ENGINEERS, 1968, 56 (03) :295-+

[7]

Goudsmit S, 1940, PHYS REV, V57, P24, DOI 10.1103/PhysRev.57.24

JASTRZEBSKI, L ;

LAGOWSKI, J ;

GATOS, HC .

[9]

KYSER DF, 1966, ELECTRON MICROPROBE, P691

[10] ELECTRON-BEAM PENETRATION IN GAAS [J].

MARTINELLI, RU ;

WANG, CC .