16-KBIT BLOCK ADDRESSED CHARGE-COUPLED MEMORY DEVICE

被引：4

作者：

MOHSEN, AM ^{[1
]}

TOMPSETT, MF ^{[1
]}

FULS, EN ^{[1
]}

ZIMANY, EJ ^{[1
]}

机构：

[1] BELL TEL LABS INC,MURRAY HILL,NJ 07974

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/JSSC.1976.1050673

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：40 / 48

页数：9

共 5 条

[1] 3-LEVEL METALLIZATION 3-PHASE CCD [J].

BERTRAM, WJ ;

MOHSEN, AM ;

MORRIS, FJ ;

SEALER, DA ;

SEQUIN, CH ;

TOMPSETT, MF .

[2] THERMAL CARRIER GENERATION IN CHARGE-COUPLED-DEVICES [J].

ONG, DG ;

PIERRET, RF .

SEQUIN, CH ;

MOHSEN, AM .

[4]

SEQUIN CH, 1975, ADV ELECTRONICS E S8

TOMPSETT, MF .