METHODS TO IMPROVE SURFACE PLANARITY OF LOCALLY OXIDIZED SILICON DEVICES

被引：7

作者：

SAKAI, H ^{[1
]}

YOSHIMI, T ^{[1
]}

SUGAWARA, K ^{[1
]}

机构：

[1] HITACHI LTD,DIV SEMICONDUCTOR & INTEGRATED CIRCUITS,TOKYO,JAPAN

来源：

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY | 1977年 / 124卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1149/1.2133289

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

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页码：318 / 320

页数：3

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共 8 条

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