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EPILAYER AND INTERFACE DEFECTS ASSOCIATED WITH RELAXATION OF SIGE ON SI STUDIED BY SLOW POSITRON IMPLANTATION
被引：3
作者：
BAKER, JA
COLEMAN, PG
WAKEFIELD, B
GIBBINGS, CJ
TUPPEN, CG
机构：
关键词：
D O I：
10.1088/0268-1242/4/9/017
中图分类号：
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ;
0809 ;
摘要：
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页码：815 / 818
页数：4
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