IMPLANTATION PROFILES FOR 40KEV PHOSPHORUS IONS IN SILICON SINGLE-CRYSTAL SUBSTRATES (TEMPERATURE DEPENDENCE CHANNELING E/T)

被引：26

作者：

GIBBONS, JF

ELHOSHY, A

MANCHESTER, KE

VOGEL, FL

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.1754475

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：46 / +

页数：1

共 5 条

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CANADIAN JOURNAL OF CHEMISTRY-REVUE CANADIENNE DE CHIMIE, 1963, 41 (09) :2309-&