FIELD-EFFECT TRANSISTOR TRACKING SURFACE FIELD SENSOR

被引：1

作者：

HORENSTEIN, MN

机构：

来源：

REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS | 1984年 / 55卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1063/1.1137728

中图分类号：

TH7 [仪器、仪表];

学科分类号：

0804 ; 080401 ; 081102 ;

摘要：

引用

收藏

页码：222 / 225

页数：4

相关论文

共 3 条

[1]

GRAY PE, 1969, ELECTRONIC PRINCIPLE, P328

[2] ELECTROMETER FOR IONIZATION CHAMBERS USING METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTORS [J].

MCCASLIN, JB .

REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS, 1964, 35 (11) :1587-&

[3] A GUARDED INSULATED GATE FIELD EFFECT ELECTROMETER [J].

NEGRO, VC ;

CASSIDY, ME ;

GRAVESON, RT .

IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 1967, NS14 (01) :135-+