DOPING OF SILICON BY NEUTRON-IRRADIATION

被引：17

作者：

HERRMANN, HA ^{[1
]}

HERZER, H ^{[1
]}

机构：

[1] WACKER CHEMITRONIC,BURGHAUSEN,FED REP GER

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2134070

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：1568 / 1569

页数：2

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共 7 条

[1]

DEARNALEY G, 1966, SEMICONDUCTOR COUNTE

[2]

HERRMANN HA, 1973, 2 DFG COLL POW DEV F

[3]

MESSIER J, 1964, 9TH P SCINT SEM COUN

[4] ION DRIFT IN AN N-P JUNCTION [J].

PELL, EM .

[5]

Stumpfi W., 1970, Radiation Effects, V6, P205, DOI 10.1080/00337577008236298

[6]

STUMPFI W, 1970, THESIS HEIDELBERG

[7]

TANNENBAUM M, 1961, J ELECTROCHEM SOC, V108, P171