RADIATION-INDUCED LEAKAGE CURRENT IN N-CHANNEL SOS TRANSISTORS

被引：21

作者：

KJAR, RA ^{[1
]}

PEEL, J ^{[1
]}

机构：

[1] ROCKWELL INT,ELECTR RES DIV,3370 MIRALOMA AVE,ANAHEIM,CA 92801

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE | 1974年 / NS21卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1109/TNS.1974.6498929

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：208 / 210

页数：3

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