NITROGEN AS DOPANT IN SILICON AND GERMANIUM

被引：49

作者：

PAVLOV, PV ^{[1
]}

ZORIN, EI ^{[1
]}

TETELBAUM, DI ^{[1
]}

KHOKHLOV, AF ^{[1
]}

机构：

[1] NI LOBACHEVSKII STATE UNIV,ENGN PHYS INST,GORKI,USSR

来源：

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH | 1976年 / 35卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1002/pssa.2210350102

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：11 / 36

页数：26

共 96 条

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