HELIUM-LIKE MODEL FOR DEEP LEVELS IN SEMICONDUCTORS

被引：14

作者：

GLODEANU, A

机构：

来源：

PHYSICS LETTERS | 1965年 / 14卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1016/0031-9163(65)90192-7

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：268 / &

共 11 条

[1]

AGRAIN P, 1961, SELECTED CONSTANTS R, P10

[2] GENERAL THEORY OF PSEUDOPOTENTIALS [J].

AUSTIN, BJ ;

SHAM, LJ ;

HEINE, V .

PHYSICAL REVIEW, 1962, 127 (01) :276-&

COHEN, MH ;

HEINE, V .

PHYSICAL REVIEW, 1961, 122 (06) :1821-&

CURIE, D .

JOURNAL DE PHYSIQUE ET LE RADIUM, 1958, 19 (8-9) :694-703

[5]

Elliott R. J., 1962, POLARONS EXCITONS, P269

[6]

GLODEANU A, TO BE PUBLISHED

[7]

HAKEN H, 1962, POLARONS EXCITONS, P295

[8]

KLEINMAN L, 1959, PHYS REV, V116, P287

[9]

KUPER CG, 1962, POLARONS EXCITONS, P269

[10]

KUPER CG, 1962, POLARONS EXCITONS, P295