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A STUDY OF PARALLEL-FIELD MAGNETORESISTANCE OF ACCUMULATION LAYERS AT ANODIC OXIDE-FILMS ON N-(HG,CD)TE AND THE DIAMAGNETIC SHUBNIKOV-DE HAAS EFFECT
被引：10
作者：
NASIR, F
SINGLETON, J
NICHOLAS, RJ
机构：
关键词：
D O I：
10.1088/0268-1242/3/7/005
中图分类号：
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ;
0809 ;
摘要：
引用
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页码：654 / 663
页数：10
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