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SN INCORPORATION IN GAAS BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY
被引：9
作者：
ITO, H
ISHIBASHI, T
机构：
来源：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS
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1987年
/
26卷
/
11期
关键词：
D O I：
10.1143/JJAP.26.L1760
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
引用
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页码：L1760 / L1762
页数：3
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