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MEASUREMENTS OF COMPOSITIONAL CHANGE IN SEMI-INSULATING GAAS SINGLE-CRYSTALS BY PRECISE LATTICE-PARAMETER MEASUREMENTS
被引:34
作者
:
TAKANO, Y
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TAKANO, Y
ISHIBA, T
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ISHIBA, T
MATSUNAGA, N
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MATSUNAGA, N
HASHIMOTO, N
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HASHIMOTO, N
机构
:
来源
:
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS
|
1985年
/ 24卷
/ 04期
关键词
:
D O I
:
10.1143/JJAP.24.L239
中图分类号
:
O59 [应用物理学];
学科分类号
:
摘要
:
引用
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页码:L239 / L240
页数:2
相关论文
共 2 条
[1]
INHOMOGENEOUS GAAS-FET THRESHOLD VOLTAGES RELATED TO DISLOCATION DISTRIBUTION
NANISHI, Y
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NANISHI, Y
ISHIDA, S
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ISHIDA, S
HONDA, T
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HONDA, T
YAMAZAKI, H
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YAMAZAKI, H
MIYAZAWA, S
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MIYAZAWA, S
[J].
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS,
1982,
21
(06):
: L335
-
L337
[2]
TAKANO Y, 1973, SEMICONDUCTOR SILICO, P469
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共 2 条
[1]
INHOMOGENEOUS GAAS-FET THRESHOLD VOLTAGES RELATED TO DISLOCATION DISTRIBUTION
NANISHI, Y
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NANISHI, Y
ISHIDA, S
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ISHIDA, S
HONDA, T
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HONDA, T
YAMAZAKI, H
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YAMAZAKI, H
MIYAZAWA, S
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MIYAZAWA, S
[J].
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS,
1982,
21
(06):
: L335
-
L337
[2]
TAKANO Y, 1973, SEMICONDUCTOR SILICO, P469
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