MEASUREMENTS OF COMPOSITIONAL CHANGE IN SEMI-INSULATING GAAS SINGLE-CRYSTALS BY PRECISE LATTICE-PARAMETER MEASUREMENTS

被引:34
作者
TAKANO, Y
ISHIBA, T
MATSUNAGA, N
HASHIMOTO, N
机构
来源
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS | 1985年 / 24卷 / 04期
关键词
D O I
10.1143/JJAP.24.L239
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
引用
收藏
页码:L239 / L240
页数:2
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共 2 条
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    ISHIDA, S
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    YAMAZAKI, H
    MIYAZAWA, S
    [J]. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS, 1982, 21 (06): : L335 - L337
  • [2] TAKANO Y, 1973, SEMICONDUCTOR SILICO, P469