SUPPRESSION OF ALUMINUM HILLOCK GROWTH BY OVERLAYERS OF SILICON DIOXIDE CHEMICALLY-VAPOR-DEPOSITED AT LOW-TEMPERATURE

被引：9

作者：

LEARN, AJ

机构：

来源：

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B | 1986年 / 4卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1116/1.583567

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：774 / 776

页数：3

共 5 条

DELLOCA, CJ ;

LEARN, AJ .

KINOSITA, K .

LEARN, AJ .

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[5]

Perry R.H., 1973, CHEM ENG HDB