EFFECT OF SURFACE MODIFICATION ON SUBBANDGAP RESPONSE OF N-INP PHOTOELECTRODES

被引：13

作者：

BOSE, DN

RAMPRAKASH, Y

BASU, S

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2115712

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：850 / 852

页数：3

共 5 条

BUTLER, MA ;

GINLEY, DS .

[2] SUBBAND GAP RESPONSE OF TIO2 AND SRTIO3 PHOTOELECTRODES [J].

BUTLER, MA ;

ABRAMOVICH, M ;

DECKER, F ;

JULIAO, JF .

[3]

DAHLBERG SC, 1977, SURF SCI, V67, P226, DOI 10.1016/0039-6028(77)90380-6

PARKINSON, BA ;

HELLER, A ;

MILLER, B .

[5]

RAMPRAKASH Y, 1983, UNPUB P SOLAR WORLD