CHARACTERIZATION OF A NEW BATCH OF ION-IMPLANTED BI IN SILICON SPECIMENS FOR USE AS PRIMARY REFERENCE SURFACE STANDARDS

被引：14

作者：

MITCHELL, IV

ESCHBACH, HL

AVALDI, L

DOBMA, W

机构：

来源：

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH | 1983年 / 218卷 / 1-3期

关键词：

D O I：

10.1016/0167-5087(83)90960-2

中图分类号：

TH7 [仪器、仪表];

学科分类号：

0804 ; 080401 ; 081102 ;

摘要：

引用

页码：91 / 96

页数：6

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