A-SI-H TFTS USING LOW-TEMPERATURE CVD OF SI3H8

被引：8

作者：

BREDDELS, PA

KANOH, H

SUGIURA, O

MATSUMURA, M

机构：

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1989年 / 25卷 / 24期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19891097

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：1637 / 1638

页数：2

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