EFFECT OF SEMICONDUCTOR THICKNESS ON CAPACITANCE-VOLTAGE CHARACTERISTICS OF AN MOS CAPACITOR

被引：3

作者：

NAGAI, K

HAYASHI, Y

机构：

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS | 1984年 / 23卷 / 12期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.23.1659

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：1659 / 1660

页数：2