EFFECT OF RANDOM POTENTIAL FLUCTUATIONS ON ELECTRON-TRANSPORT IN N-TYPE INSB

被引：8

作者：

MEYER, JR

BARTOLI, FJ

机构：

来源：

PHYSICAL REVIEW B | 1985年 / 32卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1103/PhysRevB.32.1133

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：1133 / 1145

页数：13

共 99 条

ALEXANDER, MN ;

HOLCOMB, DF .

APPEL, J .

PHYSICAL REVIEW, 1961, 122 (06) :1760-&

[3]

ARENDARCHUK VV, 1974, SOV PHYS JETP, V38, P1192

[4]

ASAUSKAS R, 1981, SOV PHYS SEMICOND+, V15, P1352

[5]

Bannaya V. F., 1968, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, V2, P978

[6]

BANNAYA VF, 1970, SOV PHYS SEMICOND+, V4, P159

[7]

BANNAYA VF, 1969, SOV PHYS SEMICOND+, V2, P812

[8]

BANNAYA VF, 1970, SOV PHYS SEMICOND, V4, P200

BARTOLI, FJ ;

MEYER, JR ;

HOFFMAN, CA ;

ALLEN, RE .

PHYSICAL REVIEW B, 1983, 27 (04) :2248-2263

[10]

BEER AC, 1963, GALVANOMAGNETIC EFFE, P94