DOSE-RATE UPSET PATTERNS IN A 16K CMOS SRAM

被引：22

作者：

MASSENGILL, LW ^{[1
]}

DIEHL, SE ^{[1
]}

BROWNING, JS ^{[1
]}

机构：

[1] SANDIA NATL LABS, ALBUQUERQUE, NM 87185 USA

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE | 1986年 / 33卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1109/TNS.1986.4334638

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：1541 / 1545

页数：5

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共 4 条

[1]

BRUCKER G, COMMUNICATION

[2]

MASSENGILL LW, 1984, IEEE T NUCLEAR SCI, V31

[3]

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