SOME CHARACTERISTICS OF FORMATION OF HIGH CONDUCTIVITY P-LAYERS IN ZNSE AND ZNSXSE1-X

被引：24

作者：

KUN, ZK ^{[1
]}

ROBINSON, RJ ^{[1
]}

机构：

[1] ZENITH RADIO CORP,RES DEPT,CHICAGO,IL 60639

来源：

JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS | 1976年 / 5卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1007/BF02652884

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

收藏

页码：23 / 35

页数：13

相关论文

共 3 条

[1] P-N-JUNCTION ZINC SULFO-SELENIDE AND ZINC SELENIDE LIGHT-EMITTING DIODES
ROBINSON, RJ
KUN, ZK
[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS, 1975, 27 (02) : 74 - 76
[2] SOLUBILITY OF ZNSE AND ZNTE IN GA AND IN
WAGNER, P
LORENZ, MR
[J]. JOURNAL OF PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLIDS, 1966, 27 (11-1) : 1749 - &
[3] WYCKOFF RWG, 1963, CRYST STRUCT, V1, P110