MODEL FOR DEFECTS IN HGCDTE DUE TO ELECTRON-IRRADIATION

被引：14

作者：

LEADON, RE ^{[1
]}

MALLON, CE ^{[1
]}

机构：

[1] IRT CORP,SAN DIEGO,CA 92138

来源：

INFRARED PHYSICS | 1975年 / 15卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1016/0020-0891(75)90042-1

中图分类号：

O43 [光学];

学科分类号：

070207 ; 0803 ;

摘要：

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页码：259 / 264

页数：6

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共 1 条

[1] ELECTRON RADIATION-DAMAGE AND ANNEALING OF HG1-XCDXTE AT LOW-TEMPERATURES [J].

MELNGAILIS, J ;

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JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1973, 44 (06) :2647-2651