SELECTIVE AREA GROWTH OF GALLIUM-ARSENIDE BY METALORGANIC VAPOR-PHASE EPITAXY

被引：39

作者：

GHOSH, C

LAYMAN, RL

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.95073

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：1229 / 1231

页数：3

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AZOULAY, R
BOUADMA, N
BOULEY, JC
DUGRAND, L
[J]. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1981, 55 (01) : 229 - 234
[2] BURNHAM RB, 1982, JUN EL MAT C FT COLL
[3] Kim M. E., 1983, GaAs IC Symposium. IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium. Technical Digest 1983, P44