SOI MOSFET IN WEAK INVERSION AND WEAK ACCUMULATION

被引：4

作者：

BALESTRA, F

BRINI, J

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19870149

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：211 / 213

页数：3

共 5 条

BALESTRA, F ;

BRINI, J ;

GENTIL, P .

[2]

BALESTRA F, 1985, 15TH EUR SOL STAT DE, P232

[3] SUBTHRESHOLD SLOPE OF THIN-FILM SOI MOSFETS [J].

COLINGE, JP .

[4]

SZE SM, 1981, PHYSICS SEMICONDUCTO, P447

[5] THEORY OF THE FULLY DEPLETED SOS-MOS TRANSISTOR [J].

WORLEY, ER .