GAALAS/GAAS MOCVD SELECTIVE EPITAXY FOR MONOLITHIC OPTICAL-DEVICE INTEGRATION WITH COMPLEX GAAS ICS

被引：1

作者：

KIM, ME ^{[1
]}

HONG, CS ^{[1
]}

KASEMSET, D ^{[1
]}

COLEMAN, JJ ^{[1
]}

BERNESCUT, R ^{[1
]}

PATEL, NB ^{[1
]}

DAPKUS, PD ^{[1
]}

机构：

[1] ROCKWELL INT CORP,CTR MICROELECTR RES & DEV,THOUSAND OAKS,CA 91360

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1982.20958

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1674 / 1675

页数：2