REDUCED GAIN OF ION-IMPLANTED TRANSISTORS

被引：9

作者：

NICHOLAS, KH

FORD, RA

DANIEL, PJ

SULLIVAN, CW

SANT, P

BULL, C

BOOKER, GR

机构：

[1] MULLARD RES LABS,REDHILL,SURREY,ENGLAND

[2] ASSOC SEMICOND MFG,SOUTHAMPTON,ENGLAND

[3] UNIV OXFORD,DEPT MET,OXFORD,ENGLAND

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.88149

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页数：3