STABILITY OF MO GATE MOS DEVICES USING HIGH-PURITY SPUTTERING TARGET

被引：2

作者：

AMAZAWA, T ^{[1
]}

OIKAWA, H ^{[1
]}

SHIONO, N ^{[1
]}

HONMA, N ^{[1
]}

机构：

[1] NIPPON TELEGRAPH & TEL PUBL CORP,MUSASHINO ELECT COMMUN LAB,MUSASHINO,TOKYO 180,JAPAN

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS | 1984年 / 23卷 / 11期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.23.L859

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：L859 / L861

页数：3

共 8 条

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