APPARATUS FOR STUDY OF GAAS SURFACES DURING VAPOR-PHASE EPITAXY

被引：9

作者：

THEETEN, JB ^{[1
]}

HOTTIER, F ^{[1
]}

PARADAN, H ^{[1
]}

机构：

[1] ELECTR & PHYS APPL LAB,F-94450 LIMEIL BREVANNES,FRANCE

来源：

REVUE DE PHYSIQUE APPLIQUEE | 1976年 / 11卷 / 05期

关键词：

D O I：

10.1051/rphysap:01976001105058700

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：587 / 595

页数：9

共 21 条

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