ELECTRON-PARAMAGNETIC RESONANCE STUDIES OF DEFECTS IN SILICON-IMPLANTED SIO2

被引：7

作者：

FUJITA, T

FUKUI, M

ITOH, N

机构：

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS | 1987年 / 26卷 / 12期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.26.L1967

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：L1967 / L1969

页数：3