ELECTRON-PARAMAGNETIC RESONANCE STUDIES OF DEFECTS IN SILICON-IMPLANTED SIO2

被引:7
作者
FUJITA, T
FUKUI, M
ITOH, N
机构
来源
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS | 1987年 / 26卷 / 12期
关键词
D O I
10.1143/JJAP.26.L1967
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
引用
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页码:L1967 / L1969
页数:3
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